Тунелска диода

Од Википедија — слободната енциклопедија
Прејди на: содржини, барај
Симбол на тунел-диода

Диода со ефект на тунел или тунел-диодаполуспроводнички електричен двопол кој ја врши функцијата на диода во кола каде е неопходно многу кратко време на комутација (до 5 GHz).

Технологија[уреди | уреди извор]

Струјно-напонската крива на тунел-диодата. Меѓу напоните V1 и V2, диодата има негативна диференцијална отпорност.

Класична диода изработена од полуспроводни материјали, е спроводна кога спојот PN е позитивно поларизиран, а станува неспроводна штом поларизацијата стане негативна. Истата е неспроводна до пробојниот напон на диодата при негативна поларизација (во оваа зона класичната диода е уништена). Кај тунел-диодата допувањето на слоевите P и N е толку битно што напонот на пробој е еднаков на 0 волти (спроти напон кој може да достигне стотици миливолти за класична диода). Оваа диода спроведува во инверзна насока (негативно поларизирана), но штом се користи во позитивна насока, се појавува ефектот на тунел давајќи И зона каде зголемувањето на напонот на краевите на диодата доведува до намалување на струјата која минува низ неа. Ова соодветствува на негативна отпорност. Оваа динамичко негативна отпорност може да се искористи за реализација на полуспроводнички осцилатор.


Примена[уреди | уреди извор]

Тунел-диодата дава големи можности во доменот на осцилаторите УВФ/СВФ (Ултра/Супер високи фреквенции), на пример фреквенцијата во микробрановите печки. Сепак, од нејзиното откривање, напредокот на класичните полуспроводници овозможи да се надмине тунел-диодата со конвенционални техники. Интеграцијата на тунел-диода во ласерска диода може да ги подобри перформансите на ласерот.


Поврзано[уреди | уреди извор]


Литература[уреди | уреди извор]