Шоткиева диода

Од Википедија — слободната енциклопедија
Прејди на прегледникот Прејди на пребарувањето
Шематски симбол за Шоткиева диода
Различни видови Шоткиеви диоди

Шоткиева диода – посебен вид диода која има многу кратко време на вклучување и исклучување (типично 100 ps)[1], како и значително понизок праг на спроведување во однос на обичните силициумови диоди.

Изработка[уреди | уреди извор]

Шоткиевите диоди се изработуваат така што директно на полуспроводник од N-тип се нанесува метал. Електроните од полуспроводникот преминуваат во металот заради дифузијата, па во полуспроводникот се образува просторен електричен полнеж во кој се наоѓаат некомпенизирани позитивни јони. Овој просторен електричен полнеж постои практично само во полуспроводникот, па електричното поле е помало во однос на нормалниот PN-спој. Електроните може да поминуваат од полуспроводникот во металот бидејќи енергијата на електроните во металот е помала, но обратно не можат. На овој начин се добива насочувачки спој меѓу полуспроводникот и металот, а исто така и приклучок за анодата. Другиот контакт се добива така што дополнително образува област со голема концентрација N+ примеси, па се добива N+ област, која е слична на спроводник. На N+ областа се нанесува метал со кој се образува не насочувачки контакт, кој ја формира катодата на диодата.

Кај Шоткиевата диода нема премин на шуплините од P во N областа, како ни електрони од N во P областа, па не постои дифузен капацитет на спојот. Времето на вклучување и исклучување е многу кратко и изнесува типично 100 ps.

Карактеристики[уреди | уреди извор]

Прагот на спроведување на Шоткиевата диода е помал во однос на силициумовите диоди бидејќи потенцијалната бариера е помала. Прагот на спроведување може да се менува со промена на густината на примеси во полуспроводникот. Колку е поголема концентрацијата на примеси, понизок е инверзниот напон и понизок е прагот на спроведување, скоро еднаков на нула, но инверзната струја е релативно голема. На пример кај Сименсовата диода BAS40-03, прагот на спроведување е околу 0,25 V, а инверзниот напон е околу 40 V. Кај диодата BAS70-03 (исто од фирмата Сименс) прагот на спроведување е 0,4 V, а инверзниот напон е околу 70 V.

Употреба[уреди | уреди извор]

Шоткиевите диоди се употребуваат во многу брзи прекинувачки кола. Шоткиевиете диоди со голема концентрација примеси се користат во микробрановата област (10 MHz). Постои посебен вид насочувачки Шоткиеви диоди за струја до неколку десетини ампери (на пример BYS76 од Сименс за струја до 75 А), кои се користат во брзи насочувачки кола или кај импулсни регулатори на напон.

Поврзано[уреди | уреди извор]

Наводи[уреди | уреди извор]

Литература[уреди | уреди извор]

Надворешни врски[уреди | уреди извор]