Транзистор со ефект на поле

Од Википедија — слободната енциклопедија
Прејди на: содржини, барај
Шема на споевите на транзистор со ефект на поле (Field Effect Ttransistor)

Транзисторот со ефект на поле (FET) е тип на транзистор што со помош на електрично поле го контролира текот и јачината на струјата низ полупроводникот. Идејата за транзистор со ефект на поле му претходи на идејата за биполарен споен транзистор меѓутоа практично е реализиран подоцна од него. Денес овие транзистори наоѓаат широка употреба во технологијата.

Терминали[уреди]

Сите транзистори со ефект на поле освен спојниот транзистор со ефект на поле (JFET) имаат четири терминали (споеви,електроди) кои се познати како порта,излез,извор и тело (gate, drain, source, body). Кај биполарниот споен транзистор имаме база, колектор и емитер.

Имињата терминалите ги добиваат според нивната функција. Портата игра улога порта со тоа што ја пропушта или ја запира струјата со создавање на канал помеѓу изворот и излезот. Електроните се движат од изворот кон излезот под дејство на напон. Телото се однесува на полупроводничкиот материјал на кој се сместени изворот, излезот и портата. Обично телото е поврзано на највисокиот или на најнискиот напон во колото во зависност од видот на транзисторот. Телото и изворот понекогаш се меѓусебно поврзани бидејќи и изворот понекогаш е поврзан на највисокиот или на најнискиот напон во колото, меѓутоа тоа зависи од типот на транзисторот.

Градба[уреди]

Транзисторите со ефект на поле можат да бидат направени од различни полупроводници, но најупотребуван е силициум. Повеќето транзистори со ефект на поле се прават со метода за обработка на полупроводници употребувајќи еден кристал од полупроводникот како активен регион или канал.

Покрај силициумот, од понеобичните материјали за правење на телото се аморфен силициум, поликристален силициум а може и други аморфни полупроводници како во тенките транзистори или органските транзистори со ефект на поле кои се изградени од органски полупроводници и често имаат и органски терминали.

Видови на транзистори со ефект на поле[уреди]

Празнењето на транзисторите со ефект на поле под обичен напон. ЈFET, полисиликонски MOSFET, MOSFET со две порти, MOSFET со метална порта, MESFET.  празнење ,  електрони ,  празнини ,  метал ,  изолатор . горе=извор, долу=излез, лево=порта, десно=тело. Напоните на кои се приклучени каналите не се покажани

Каналот на транзисторот со ефект на поле се прави или од полупроводник од N-тип или од полупроводник од P-тип. Изворот и излезот може да бидат онаправени од ист тип на полупроводник како и каналот или од спротивен тип во зависност од видот на транзисторот. Транзисторите со ефект на поле меѓусебно се разликуваат по методот на изолација помеѓу каналот и портата. Па според тоа ги разликуваме следните видови на транзистори со ефект на поле:

  • Метал-оксиден транзистор со ефект на поле (MOSFET) - користи изолатор (обично силициум диоксид SiO2) помеѓу портата и телото.
  • Споен транзистор со ефект на поле (JFET) - користи обратен p-n спој за изолирање на портата и телото.
  • Метален транзистор со ефект на поле (MESFET) - го заменува обратниот p-n споја кај претходниот транзистор со Шотки бариера.
  • Повеќеструктурен транзистор со ефект на поле (HFET) - Материјалот со широка пукнатина формира изолација помеѓу портата и телото
  • Брзо-прилагодлив транзистор со ефект на поле (MODFET)- Користи квантен бунар формирана од пукнатина во активниот регион
  • Биполарен споен транзистор со изолирана порта (IGBT)

Начин на работа[уреди]

Употреба[уреди]

Најупотребуван транзистор со ефект на поле е метал-оксидниот (MOSFET). Технологијата на комплементарен метал-оксиден полупроводник (CMOS) е основа за создавање на интегрираните кола. Во производната технологија сериски се врзуваат метал-оксидни транзистори од p-тип и од n-тип и нуди можност да одбериме кој ќе го користиме.

Чуствителниот слој кај MOSFET-от помеѓу портата и каналот го прави подложен на електростатско оштетување во текот на пренесувањето. Кога уредот се смести веќе не претставува проблем.

Во транзисторите со ефект на поле, електроните можат да се движат во двете насоки кога е во линеарен режим, па именувањето на терминалите извор и излез се менува. Ова ги прави овие транзистори погодни за менување на патеките на аналогниот сигнал (мултиплексирање).

Види исто така[уреди]