English: A transport box containing two six-inch (∅150mm) wafers made of silicon carbide, to be used as substrates for homoepitaxial growth of SiC transistor layers by means of MOVPE. A ballpoint pen was added as a scale. Note the wafer transparency is about 50 % over visible spectrum, due to sub-band absorption. Also note the elliptical darker area on the upper wafer, which is a characteristic trait of the production process being used.
да споделите – да го умножувате, распространувате и емитувате делото
да преработувате – да преработувате
Под следните услови:
наведи извор – Ќе мора да дадете прикладен припис, да ставите врска до лиценцата и да укажете дали има направено промени. Ова може да биде направено на било кој разумен начин, но без да оддава впечаток дека лиценцодавецот стои зад Вас и Вашата употреба.
сподели под исти услови – Ако го измените или преобразите делото, или пак ако основате друго дело на него, добиеното дело (придонесот) морате да го распространувате (објавувате) само под истата или складна лиценца на изворната.
Оваа податотека содржи дополнителни информации, најверојатно додадени од дигиталниот апарат или отсликувач. Ако притоа податотеката претрпела промени, некои податоци може да не соодветствуваат во целост по промената на податотеката.