Шоклиева диода

Од Википедија — слободната енциклопедија
Прејди на прегледникот Прејди на пребарувањето
Шоклиева диода
Типпасивен
ПронаоѓачВилијам Шокли
Распоред на контактитеанода и катода
Ел. симбол
Шематски симбол на Шоклиева диода
Скулптура која ја претставува Шоклиевата четирислојна диода во Калифорнија на местото на Шокли семикондактор лабораториз каде што била изработена првата силиконска компонента во Силициумовата Долина

Шоклиева диода (наречена според физичарот Вилијам Шокли) – четирислојна полуспроводничка диода, која била една од првите пронајдени полуспроводнички компоненти. Таа била „pnpn“ диода. Таа е еквивалентна со тиристор со дисконектиран гејт.

Шоклиевите диоди биле произведувани и маркетирани од Шокли семикондактор лаборатори во доцните 1950-ти години.[1]

Употреба[уреди | уреди извор]

Вообичаени апликации:

  • прекинувачи за исправувачки елементи
  • пилест осцилатор

Ниш апликации:

  • аудио засилувачи [2][3]

Типични вредности[уреди | уреди извор]

V–I дијаграм
Опис Опсег[4] Типично
Функционирање нанапред
Напон на префрлање Vs 10V до 250V 50V +/- 4V
Напон на држење Vh 0,5V to 2V 0,8V
Струја на префрлање Is од неколку µA до неколку mA 120µA
Струја на држење IH 1 до 50mA 14 до 45mA
Обратно функционирање
Реверзна струја IR 15µA
Реверзен пробоен напон Vrb 10V до 250V 60V

Динистор[уреди | уреди извор]

Динистор

Шоклиеви диоди за мали сигнали повеќе не се произведуваат, но еднонасочните тиристорски пробојни диоди, познати како динистори, се функционално еквиваленти уреди. Рана публикација за динисторите била објавена во 1958 година.[5]

Во 1988 година бил произведен првиот динистор кој користел силикон карбид.[6]

Динисторите може да се користат како прекинувачи во микро и наносекундни импулсни генератори на снага.[7]

Поврзано[уреди | уреди извор]

Наводи[уреди | уреди извор]

  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) pbk.

Надворешни врски[уреди | уреди извор]