Хироши Амано: Разлика помеѓу преработките

Прејди на прегледникот Прејди на пребарувањето

Хироши Амано (уреди)

Преработка од 08:43, 21 јануари 2021

Одземен 1 бајт ,  пред 1 година
с
→‎Животопис: Исправка на датумски формат, replaced: септември, 1 → септември 1
(+image #WPWPTR #WPWP)
с (→‎Животопис: Исправка на датумски формат, replaced: септември, 1 → септември 1)
==Животопис==
 
Амано е роден од Хамамацу, на 11 септември, 1960 година во Јапонија. Тој дипломирал инженерство, магистрирал и докторирал во 1983, 1985 и 1989 година, на [[Нагојски универзитет|Нагојскиот универзитет]]. Од 1988 до 1992, тој бил истражен помошник на Нагојскиот универзитет. Во 1992 година, тој започнува да работи на [[универзитет „Мејџо“|универзитетот „Мејџо“]], каде бил помошник професор. Од 1998 до 2002 година, бил соработник професор. Во 2002, тој станува професор. Во 2010 година, тој се вработува на Дипломското училиште за инженерство при Нагојскиот универзитет, каде што и моментално е професор.
 
Тој се придружил на групата на професорот [[Исаму Акасаки]] во 1982 година како додипломец. Оттогаш, тој вршел истражувања на растот, каректеризацијата и примената на направи со полупроводници од нитридната III група, кои се добро познати како материјали кои се користат кај сините светлечки диоди. Во 1985 година, тој развива нискотемпературни методи за нанесување слоеви за растот на филмови на нитридната III група на сафирни субстрати, кои довеле до создавањето на полупроводниците од нитридната III група основата на светлечките диоди и ласери. Во 1989 година, тој успеал да создаде p-тип GaN и да образува p-n-сврзен-тип GaN-на УВ/сина светлечка диода, која била првата таква од тој тип во светот.
Преземено од „https://mk.wikipedia.org/wiki/Специјална:МобилнаРазлика/4389204“

Прегледник